OPTO-EDU A63.7190 300000x সমালোচনামূলক মাত্রা স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ
-
ওয়েফার সাইজA63.7190-68: 6/8 ইঞ্চি
-
রেজোলিউশন2.5nm (Acc=800V)
-
ভোল্টেজ ত্বরান্বিত0.5-1.6 কেভি
-
পুনরাবৃত্তিযোগ্যস্থির এবং গতিশীল ± 1% বা 3nm (3 সিগমা)
-
প্রোব মরীচি বর্তমান3 ~ 30pa
-
দুরত্ব পরিমাপ করাFOV 0.1 ~ 2.0μm
-
উৎপত্তি স্থলচীন
-
পরিচিতিমুলক নামCNOEC, OPTO-EDU
-
সাক্ষ্যদানCE, Rohs
-
মডেল নম্বারA63.7190
-
দলিল
-
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ1 পিসি
-
মূল্যFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
প্যাকেজিং বিবরণশক্ত কাগজ প্যাকিং, রপ্তানি পরিবহন জন্য
-
ডেলিভারি সময়5~20 দিন
-
পরিশোধের শর্তটি/টি, ওয়েস্ট ইউনিয়ন, পেপ্যাল
-
যোগানের ক্ষমতা5000 পিসি/মাস
OPTO-EDU A63.7190 300000x সমালোচনামূলক মাত্রা স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ
|
একটি ক্রিটিক্যাল ডাইমেনশন স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ (CD-SEM) হল একটি বিশেষ SEM যা সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার, ফটোমাস্ক এবং অন্যান্য উপকরণগুলির ক্ষুদ্র বৈশিষ্ট্যগুলির মাত্রা পরিমাপ করতে ব্যবহৃত হয়। এই পরিমাপগুলি তৈরি করা ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির নির্ভুলতা এবং যথার্থতা নিশ্চিত করার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
◉ 6/8 ইঞ্চি ওয়েফার আকারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, ম্যাগনিফিকেশন 1000x-300000x ◉ রেজোলিউশন 2.5nm (Acc=800V), অ্যাক্সিলারেটিং ভোল্টেজ 500V--1600V ◉ পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা স্ট্যাটিক ও ডাইনামিক ±1% বা 3nm(3 সিগমা), প্রোব বিম কারেন্ট 3~30pA ◉ তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর চিপগুলির জন্য উপযুক্ত উচ্চ-গতির ওয়েফার ট্রান্সফার সিস্টেম ডিজাইন ◉ উন্নত ইলেকট্রন অপটিক্স সিস্টেম এবং ইমেজ প্রসেসিং, যার মধ্যে চিলার, ড্রাই পাম্প অন্তর্ভুক্ত |
|
▶ প্রধান বৈশিষ্ট্য CD-SEM গুলি একটি নিম্ন-শক্তি ইলেকট্রন বিম ব্যবহার করে এবং সঠিক এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্য পরিমাপ নিশ্চিত করতে উন্নত ম্যাগনিফিকেশন ক্যালিব্রেশন করে। এগুলি প্যাটার্নের প্রস্থ, উচ্চতা এবং সাইডওয়াল অ্যাঙ্গেলগুলির মতো বৈশিষ্ট্যগুলি পরিমাপ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। |
|
▶ উদ্দেশ্য সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে মেট্রোলজির জন্য CD-SEM অপরিহার্য, যা লিথোগ্রাফি এবং এচিং প্রক্রিয়াগুলির সময় তৈরি প্যাটার্নগুলির ক্রিটিক্যাল ডাইমেনশন (CDs) পরিমাপ করতে সহায়তা করে। CDs হল ক্ষুদ্রতম বৈশিষ্ট্যগুলির আকার যা একটি ওয়েফারে নির্ভরযোগ্যভাবে তৈরি এবং পরিমাপ করা যেতে পারে। |
|
▶ অ্যাপ্লিকেশন এই যন্ত্রগুলি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির উত্পাদন লাইনে ব্যবহৃত হয় যাতে একটি চিপ তৈরি করে এমন বিভিন্ন স্তর এবং বৈশিষ্ট্যগুলির মাত্রিক নির্ভুলতা নিশ্চিত করা যায়। এগুলি প্রক্রিয়া উন্নয়ন এবং নিয়ন্ত্রণেও গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা উত্পাদন প্রক্রিয়ার সময় উদ্ভূত হতে পারে এমন কোনও সমস্যা সনাক্ত করতে এবং সংশোধন করতে সহায়তা করে।
▶ গুরুত্ব CD-SEM ছাড়া, আধুনিক মাইক্রোইলেকট্রনিক্স শিল্পের দ্বারা দাবি করা উচ্চ স্তরের নির্ভুলতা এবং কর্মক্ষমতা অর্জন করতে সংগ্রাম করবে। আধুনিক ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির নির্ভরযোগ্যতা এবং কার্যকারিতা নিশ্চিত করার জন্য এগুলি অপরিহার্য। |
|
▶ পরিবর্তনশীল প্রযুক্তি যেহেতু লিথোগ্রাফি কৌশলগুলি উন্নত হচ্ছে এবং বৈশিষ্ট্যের আকারগুলি হ্রাস পাচ্ছে, তাই CD-SEM গুলি ক্রমাগত শিল্পের চাহিদা মেটাতে বিকশিত হচ্ছে। ক্রমবর্ধমান জটিল প্যাটার্নগুলি পরিমাপের চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করার জন্য CD-SEM-এ নতুন প্রযুক্তি এবং অগ্রগতি তৈরি করা হচ্ছে |
| A63.7190 ক্রিটিক্যাল ডাইমেনশন স্ক্যানিং ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ (CDSEM) | ||
| ওয়েফার সাইজ | A63.7190-68: 6/8 ইঞ্চি | A63.7190-12: 12 ইঞ্চি |
| রেজোলিউশন | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| অ্যাক্সিলারেটিং ভোল্টেজ | 0.5-1.6KV | 0.3-2.0KV |
| পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা | স্ট্যাটিক ও ডাইনামিক ±1% বা 3nm(3 সিগমা) | স্ট্যাটিক ও ডাইনামিক ±1% বা 0.3nm(3 সিগমা) |
| প্রোব বিম কারেন্ট | 3~30pA | 3~40pA |
| পরিমাপের পরিসীমা | FOV 0.1~2.0μm | FOV 0.05~2.0μm |
| থ্রুপুট | >20 ওয়েফার/ঘণ্টা, | >36 ওয়েফার/ঘণ্টা, |
| 1 পয়েন্ট/চিপ, | 1 পয়েন্ট/চিপ, | |
| 20 চিপস/ওয়েফার | 20 চিপস/ওয়েফার | |
| ম্যাগনিফিকেশন | 1Kx~300Kx | 1Kx-500Kx |
| স্টেজ নির্ভুলতা | 0.5μm | |
| ইলেকট্রন উৎস | শটকি থার্মাল ফিল্ড এমিটার | |
| বাজারে প্রধান CDSEM মডেলগুলির তুলনা | |||||
| স্পেসিফিকেশন | হিটাচি | হিটাচি | হিটাচি | অপটো-এডু | অপটো-এডু |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 | A63.7190-12 | |
| 1. ওয়েফার সাইজ | 6 ইঞ্চি/8 ইঞ্চি | 8 ইঞ্চি/12 ইঞ্চি | 8 ইঞ্চি/12 ইঞ্চি | 6 ইঞ্চি/8 ইঞ্চি | 12 ইঞ্চি |
| 2. রেজোলিউশন | 5nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3. অ্যাক্সিলারেটিং ভোল্টেজ | 500-1300V | 300-1600V | 300-1600V | 500-1600V | 300-2000V |
| 4. পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা (স্ট্যাটিক এবং ডাইনামিক) | ±1% বা 5nm(3 সিগমা) | ±1% বা 2nm(3 সিগমা) | ±1% বা 2nm(3 সিগমা) | ±1% বা 3nm(3 সিগমা) | ±1% বা 0.3nm(3 সিগমা) |
| 5. Ip রেঞ্জ (প্রোব কারেন্ট) | 1-16pA | 3-50pA | 3-50pA | 3-30pA | 3-40pA |
| 6. FOV সাইজ | - | 50nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7. থ্রুপুট | 26 ওয়েফার/ঘণ্টা, | 24 ওয়েফার/ঘণ্টা, | 24 ওয়েফার/ঘণ্টা, | >20ওয়েফার/ঘণ্টা, | 36 ওয়েফার/ঘণ্টা, |
| 1পয়েন্ট/চিপ, | 1পয়েন্ট/চিপ, | 1পয়েন্ট/চিপ, | 1পয়েন্ট/চিপ, | 1পয়েন্ট/চিপ, | |
| 5চিপস/ওয়েফার | 20চিপস/ওয়েফার | 20চিপস/ওয়েফার | 20চিপস/ওয়েফার | 20চিপস/ওয়েফার | |
আমাদের পণ্যগুলি সারা বিশ্ব জুড়ে বিক্রি হয় You আপনি আমাদের পণ্যগুলির সম্পূর্ণ প্রক্রিয়া সম্পর্কে নিশ্চিত থাকতে পারেন।